FFB2227A Альтернативные части: 2SC5729T106R

FFB2227AON Semiconductor

  • FFB2227AON Semiconductor
  • 2SC5729T106RROHM Semiconductor

В наличии: 2793

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    89.228901 ₽

    89.29 ₽

  • 10

    84.178159 ₽

    841.76 ₽

  • 100

    79.413434 ₽

    7,941.35 ₽

  • 500

    74.918310 ₽

    37,459.20 ₽

  • 1000

    70.677637 ₽

    70,677.61 ₽

Цена за единицу: 89.228901 ₽

Итоговая цена: 89.29 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SC70-6
TRANS NPN 30V 0.5A SC70
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
-
Срок поставки от производителя
7 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70, SOT-323
Количество контактов
6
-
Вес
28mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
Количество элементов
2
1
Минимальная частота работы в герцах
30
180
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
-
Код JESD-609
e3
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная потеря мощности
300mW
200mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
500mA
-
Частота
250MHz
-
Основной номер части
FFB2227A
-
Направленность
NPN, PNP
-
Конфигурация элемента
Dual
Single
Распад мощности
300mW
-
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
250MHz
300MHz
Тип транзистора
NPN, PNP
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
30V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
30 @ 300mA 10V
180 @ 50mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
30nA ICBO
1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1.4V @ 30mA, 300mA
300mV @ 10mA, 100mA
Частота перехода
250MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
6V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
Высота
1.1mm
-
Длина
2mm
-
Ширина
1.25mm
-
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Покрытие контактов
-
Copper, Silver, Tin
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
500mA
Максимальная рабочая температура
-
150°C
Положение терминала
-
DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
10
Число контактов
-
3
Код JESD-30
-
R-PDSO-G3
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
Полярность/Тип канала
-
NPN