Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS8978 Альтернативные части: IRF8313TRPBF ,FDS6990A
FDS8978ON Semiconductor
В наличии: 29
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
145.836484 ₽
145.88 ₽
10
137.581566 ₽
1,375.82 ₽
100
129.793997 ₽
12,979.40 ₽
500
122.447088 ₽
61,223.49 ₽
1000
115.516113 ₽
115,516.07 ₽
Цена за единицу: 145.836484 ₽
Итоговая цена: 145.88 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | - | 10 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 187mg | - | 187mg |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Время отключения | 48 ns | 8.5 ns | 28 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2001 | 2008 | 2003 |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Сопротивление | 18MOhm | 15.5MOhm | 18MOhm |
Максимальная потеря мощности | 1.6W | 2W | 900mW |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 1.6W | 2W | 1.6W |
Время задержки включения | 7 ns | 8.3 ns | 10 ns |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 18m Ω @ 7.5A, 10V | 15.5m Ω @ 9.7A, 10V | 18m Ω @ 7.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 2.35V @ 25μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1270pF @ 15V | 760pF @ 15V | 1235pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 26nC @ 10V | 9nC @ 4.5V | 17nC @ 5V |
Время подъема | 37ns | 9.9ns | 5ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | - |
Время падения (тип) | 37 ns | 4.2 ns | 5 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7.5A | 9.7A | 7.5A |
Пороговое напряжение | 2.5V | 1.8V | 1.9V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm | 1.57mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm | 4.9mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm | 3.9mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Количество выводов | - | 8 | 8 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Основной номер части | - | IRF8313PBF | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 46 mJ | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V | 1.9 V |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Дополнительная Характеристика | - | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 30V |
Моментальный ток | - | - | 7.5A |
Двухпитание напряжения | - | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS6990A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| FDS6910 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC | Для сравнения |
| IRF8313PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |