Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS8978 Альтернативные части: IRF8313PBF
FDS8978ON Semiconductor
В наличии: 29
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
145.836484 ₽
145.88 ₽
10
137.581566 ₽
1,375.82 ₽
100
129.793997 ₽
12,979.40 ₽
500
122.447088 ₽
61,223.49 ₽
1000
115.516113 ₽
115,516.07 ₽
Цена за единицу: 145.836484 ₽
Итоговая цена: 145.88 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | - |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 6 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | - |
Вес | 187mg | - |
Количество элементов | 2 | 2 |
Время отключения | 48 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tube |
Серия | PowerTrench® | - |
Опубликовано | 2001 | 2004 |
Состояние изделия | Active | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Сопротивление | 18MOhm | - |
Максимальная потеря мощности | 1.6W | - |
Конфигурация элемента | Dual | - |
Распад мощности | 1.6W | - |
Время задержки включения | 7 ns | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 18m Ω @ 7.5A, 10V | 15.5m Ω @ 9.7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1270pF @ 15V | 760pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 26nC @ 10V | 90nC @ 4.5V |
Время подъема | 37ns | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V |
Время падения (тип) | 37 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 7.5A | - |
Пороговое напряжение | 2.5V | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Высота | 1.5mm | - |
Длина | 5mm | - |
Ширина | 4mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Поверхностный монтаж | - | YES |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 9.7A |
Код JESD-609 | - | e3 |
Количество выводов | - | 8 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) |
Форма вывода | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | - | IRF8313PBF |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-G8 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Конфигурация | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE |
Мощность - Макс | - | 2W |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Код JEDEC-95 | - | MS-012AA |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 9.7A |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.0155Ohm |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 81A |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 46 mJ |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Максимальная потеря мощности (абс.) | - | 2W |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS6990A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| FDS6910 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC | Для сравнения |
| IRF8313PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |