Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS8949 Альтернативные части: FDS4897C
FDS8949ON Semiconductor
В наличии: 1758
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
57.431181 ₽
57.42 ₽
10
54.180357 ₽
541.76 ₽
100
51.113544 ₽
5,111.40 ₽
500
48.220330 ₽
24,110.16 ₽
1000
45.490879 ₽
45,490.93 ₽
Цена за единицу: 57.431181 ₽
Итоговая цена: 57.42 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | ON SEMICONDUCTOR - FDS8949 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, FULL REEL | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 187mg | 187mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 |
Время отключения | 23 ns | 45 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2006 | 2005 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 29mOhm | 29MOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 40V | - |
Максимальная потеря мощности | 2W | 900mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 6A | - |
Конфигурация элемента | Dual | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2W | 2W |
Время задержки включения | 9 ns | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 6A, 10V | 29m Ω @ 6.2A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 955pF @ 20V | 760pF @ 20V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 11nC @ 5V | 20nC @ 10V |
Время подъема | 5ns | 15ns |
Время падения (тип) | 3 ns | 18 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 6A | 4.4A |
Пороговое напряжение | 1.9V | 1.9V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 6A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 40V | 40V |
Двухпитание напряжения | 40V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Номинальное Vgs | 1.9 V | - |
Высота | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | 5mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 6.2A 4.4A |
Положение терминала | - | DUAL |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS8449 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| FDS4897AC | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO | Для сравнения |
| FDS4897C | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC | Для сравнения |
 | SI4599DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual MOSFET, N and P Channel, 6.8 A, 40 V, 0.0295 ohm, 10 V, 1.4 V | Для сравнения |