FDS8949 Альтернативные части: FDS4897AC

FDS8949ON Semiconductor

В наличии: 1758

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
57.431181 ₽
57.42 ₽
10
54.180357 ₽
541.76 ₽
100
51.113544 ₽
5,111.40 ₽
500
48.220330 ₽
24,110.16 ₽
1000
45.490879 ₽
45,490.93 ₽

Цена за единицу: 57.431181 ₽

Итоговая цена: 57.42 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS8949	иFDS4897AC
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	ON SEMICONDUCTOR - FDS8949 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, FULL REEL	MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	187mg	187mg
Материал элемента транзистора	SILICON	-
Количество элементов	2	2
Время отключения	23 ns	17 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®
Опубликовано	2006	2006
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	29mOhm	26MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	40V	-
Максимальная потеря мощности	2W	900mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	6A	-
Конфигурация элемента	Dual	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-
Распад мощности	2W	2W
Время задержки включения	9 ns	8 ns
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	N and P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	29m Ω @ 6A, 10V	26m Ω @ 6.1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	955pF @ 20V	1055pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	11nC @ 5V	21nC @ 10V
Время подъема	5ns	3ns
Время падения (тип)	3 ns	3 ns
Непрерывный ток стока (ID)	6A	5.2A
Пороговое напряжение	1.9V	2V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	6A	6.1A
Напряжение пробоя стока к истоку	40V	40V
Двухпитание напряжения	40V	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Номинальное Vgs	1.9 V	-
Высота	1.5mm	1.575mm
Длина	5mm	4.9mm
Ширина	4mm	3.9mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	-	6.1A 5.2A
Конечная обработка контакта	-	Tin (Sn)
Положение терминала	-	DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS8449	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
FDS4897AC	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO	Для сравнения
FDS4897C	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC	Для сравнения
SI4599DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual MOSFET, N and P Channel, 6.8 A, 40 V, 0.0295 ohm, 10 V, 1.4 V	Для сравнения