Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS8882 Альтернативные части: IRF8513PBF ,IRF8313PBF
FDS8882ON Semiconductor
В наличии: 81
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
41.137981 ₽
41.07 ₽
10
38.809396 ₽
388.05 ₽
100
36.612637 ₽
3,661.26 ₽
500
34.540220 ₽
17,270.05 ₽
1000
32.585151 ₽
32,585.16 ₽
Цена за единицу: 41.137981 ₽
Итоговая цена: 41.07 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | - | 6 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | - |
Вес | 130mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 9A Ta | 8A 11A | 9.7A |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - | - |
Количество элементов | 1 | 2 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | - | - |
Время отключения | 19 ns | - | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
Серия | PowerTrench® | - | - |
Код JESD-609 | e4 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | 8 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Сопротивление | 20MOhm | 15.5MOhm | - |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | ULTRA LOW RESISTANCE | - | - |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Конфигурация элемента | Single | Dual | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.4W | - |
Время задержки включения | 7 ns | - | - |
Тип ТРВ | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 20m Ω @ 9A, 10V | 15.5mOhm @ 8A, 10V | 15.5m Ω @ 9.7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.35V @ 25μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 940pF @ 15V | 766pF @ 15V | 760pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 20nC @ 10V | 8.6nC @ 4.5V | 90nC @ 4.5V |
Время подъема | 3ns | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - | - |
Время падения (тип) | 4 ns | - | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 9A | 8A | - |
Пороговое напряжение | 1.7V | 1.8V | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | 9A | - | 9.7A |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 32 mJ | - | 46 mJ |
Номинальное Vgs | 1.7 V | 1.8 V | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Поставщик упаковки устройства | - | 8-SO | - |
Опубликовано | - | 2008 | 2004 |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Максимальная рабочая температура | - | 175°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Максимальная потеря мощности | - | 2.4W | - |
Основной номер части | - | IRF8513PBF | IRF8313PBF |
Мощность - Макс | - | 1.5W 2.4W | 2W |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | - | 30V | - |
Входной ёмкости | - | 766pF | - |
Время восстановления | - | 23 ns | - |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Сопротивление стока к истоку | - | 22.2mOhm | - |
Rds на макс. | - | 15.5 mΩ | - |
Высота | - | 1.4986mm | - |
Длина | - | 4.9784mm | - |
Ширина | - | 3.9878mm | - |
Поверхностный монтаж | - | - | YES |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | NOT SPECIFIED |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-G8 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Конфигурация | - | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Код JEDEC-95 | - | - | MS-012AA |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.0155Ohm |
Максимальный импульсный ток вывода | - | - | 81A |
Минимальная напряжённость разрушения | - | - | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Максимальная потеря мощности (абс.) | - | - | 2W |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8513PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8313PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |