FDS8882 Альтернативные части: IRF8313PBF

FDS8882ON Semiconductor

В наличии: 81

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
41.137981 ₽
41.07 ₽
10
38.809396 ₽
388.05 ₽
100
36.612637 ₽
3,661.26 ₽
500
34.540220 ₽
17,270.05 ₽
1000
32.585151 ₽
32,585.16 ₽

Цена за единицу: 41.137981 ₽

Итоговая цена: 41.07 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS8882	иIRF8313PBF
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)	-
Срок поставки от производителя	18 Weeks	6 Weeks
Монтаж	Surface Mount	-
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	-
Вес	130mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	9A Ta	9.7A
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	-
Количество элементов	1	2
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	-
Время отключения	19 ns	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tube
Серия	PowerTrench®	-
Код JESD-609	e4	e3
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	20MOhm	-
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	ULTRA LOW RESISTANCE	-
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Конфигурация элемента	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	-
Время задержки включения	7 ns	-
Тип ТРВ	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	20m Ω @ 9A, 10V	15.5m Ω @ 9.7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	940pF @ 15V	760pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	20nC @ 10V	90nC @ 4.5V
Время подъема	3ns	-
Угол настройки (макс.)	±20V	-
Время падения (тип)	4 ns	-
Непрерывный ток стока (ID)	9A	-
Пороговое напряжение	1.7V	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	-
Максимальный сливовой ток (ID)	9A	9.7A
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	32 mJ	46 mJ
Номинальное Vgs	1.7 V	-
REACH SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-
Поверхностный монтаж	-	YES
Опубликовано	-	2004
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED
Основной номер части	-	IRF8313PBF
Код JESD-30	-	R-PDSO-G8
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Конфигурация	-	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Мощность - Макс	-	2W
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V
Код JEDEC-95	-	MS-012AA
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.0155Ohm
Максимальный импульсный ток вывода	-	81A
Минимальная напряжённость разрушения	-	30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)	-	2W
Характеристика ТРП	-	Logic Level Gate

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF8313TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8513PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8313PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC	Для сравнения