FDS8880 Альтернативные части: FDS6680A ,IRF8721PBF

FDS8880ON Semiconductor

В наличии: 19351

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
54.688681 ₽
54.67 ₽
10
51.593104 ₽
515.93 ₽
100
48.672734 ₽
4,867.31 ₽
500
45.917679 ₽
22,958.79 ₽
1000
43.318516 ₽
43,318.54 ₽

Цена за единицу: 54.688681 ₽

Итоговая цена: 54.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS8880	иFDS6680A	иIRF8721PBF
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	-
Срок поставки от производителя	18 Weeks	18 Weeks	39 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	130mg	130mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	11.6A Ta	12.5A Ta	14A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	38 ns	27 ns	8.1 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®	HEXFET®
Опубликовано	2001	2004	2007
Код JESD-609	e4	e4	-
Безоловая кодировка	yes	yes	-
Состояние изделия	Active	Active	Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	-
Завершение	SMD/SMT	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	10MOhm	9.5MOhm	8.5MOhm
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	30V	-
Положение терминала	DUAL	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	-
Моментальный ток	11.6A	12.5A	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	7 ns	10 ns	8.2 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	10m Ω @ 11.6A, 10V	9.5m Ω @ 12.5A, 10V	8.5m Ω @ 14A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	3V @ 250μA	2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1235pF @ 15V	1620pF @ 15V	1040pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	30nC @ 10V	23nC @ 5V	12nC @ 4.5V
Время подъема	27ns	5ns	11ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	15 ns	15 ns	7 ns
Непрерывный ток стока (ID)	11.6A	12.5A	14A
Пороговое напряжение	2.5V	2V	2.35V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Двухпитание напряжения	30V	30V	-
Номинальное Vgs	2.5 V	2 V	2.35 V
Высота	1.5mm	1.5mm	1.4986mm
Длина	5mm	5mm	4.9784mm
Ширина	4mm	4mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Дополнительная Характеристика	-	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	-
Время восстановления	-	28 ns	21 ns

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6670A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R	Для сравнения
IRF7413ZTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6680A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8721PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	Для сравнения