Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS8880 Альтернативные части: IRF7413ZTRPBF
FDS8880ON Semiconductor
В наличии: 19351
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
54.688681 ₽
54.67 ₽
10
51.593104 ₽
515.93 ₽
100
48.672734 ₽
4,867.31 ₽
500
45.917679 ₽
22,958.79 ₽
1000
43.318516 ₽
43,318.54 ₽
Цена за единицу: 54.688681 ₽
Итоговая цена: 54.67 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 130mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 11.6A Ta | 13A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 38 ns | 11 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® |
Опубликовано | 2001 | 2005 |
Код JESD-609 | e4 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 10MOhm | 10MOhm |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 30V |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 11.6A | 13A |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 7 ns | 8.7 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 10m Ω @ 11.6A, 10V | 10m Ω @ 13A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 2.25V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1235pF @ 15V | 1210pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 30nC @ 10V | 14nC @ 4.5V |
Время подъема | 27ns | 6.3ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 15 ns | 3.8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 11.6A | 13A |
Пороговое напряжение | 2.5V | 1.8V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | 30V | 30V |
Номинальное Vgs | 2.5 V | 1.8 V |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Интервал строк | - | 6.3 mm |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 32 mJ |
Время восстановления | - | 36 ns |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6670A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R | Для сравнения |
 | IRF7413ZTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | Для сравнения |
| FDS6680A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8721PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |