Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS8858CZ Альтернативные части: DMG4800LSD-13 ,BSO119N03S
FDS8858CZON Semiconductor
В наличии: 9
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
29.879808 ₽
29.95 ₽
10
28.188503 ₽
281.87 ₽
100
26.592926 ₽
2,659.34 ₽
500
25.087665 ₽
12,543.82 ₽
1000
23.667610 ₽
23,667.58 ₽
Цена за единицу: 29.879808 ₽
Итоговая цена: 29.95 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO | MOSFET, N, 30V, SO-8 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 16 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 187mg | 73.992255mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 8.6A 7.3A | - | 9A Ta |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Время отключения | 33 ns | 26.33 ns | 18 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | - | OptiMOS™ |
Опубликовано | 2006 | 2011 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | - | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 17mOhm | - | 16.3mOhm |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) - annealed | MATTE TIN |
Максимальная потеря мощности | 900mW | 1.17W | - |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2W | 1.17W | 1.56W |
Тип ТРВ | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 17m Ω @ 8.6A, 10V | 16m Ω @ 9A, 10V | 11.9m Ω @ 11A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 1.6V @ 250μA | 2V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1205pF @ 15V | 798pF @ 10V | 1730pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 24nC @ 10V | 8.56nC @ 5V | 13nC @ 5V |
Время подъема | 10ns | 4.5ns | 3.8ns |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | - |
Время падения (тип) | 16 ns | 8.55 ns | 3.8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 8.6A | 7.5A | 9A |
Пороговое напряжение | 1.6V | 1.6V | 1.6V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 25V | 25V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -60V | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | 30V | - | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
Номинальное Vgs | 1.6 V | - | 1.6 V |
Высота | 1.5mm | 1.7mm | - |
Длина | 5mm | 4.95mm | - |
Ширина | 4mm | 3.95mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 | 40 |
Основной номер части | - | DMG4800LSD | - |
Число контактов | - | 8 | 8 |
Конфигурация элемента | - | Dual | - |
Время задержки включения | - | 5.03 ns | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.016Ohm | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 1.56W Ta |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 30V |
Моментальный ток | - | - | 9A |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±20V |
Код JEDEC-95 | - | - | MS-012AA |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 9A |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | - | - | 93 pF |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6690A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS6690A - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Surface Mount | Для сравнения |
| FDS6690AS | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
 | DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO | Для сравнения |
 | BSO119N03S | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET, N, 30V, SO-8 | Для сравнения |