FDS8858CZ Альтернативные части: FDS6690AS

FDS8858CZON Semiconductor

В наличии: 9

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
29.879808 ₽
29.95 ₽
10
28.188503 ₽
281.87 ₽
100
26.592926 ₽
2,659.34 ₽
500
25.087665 ₽
12,543.82 ₽
1000
23.667610 ₽
23,667.58 ₽

Цена за единицу: 29.879808 ₽

Итоговая цена: 29.95 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS8858CZ	иFDS6690AS
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC N T/R	Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя	18 Weeks	18 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	187mg	130mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	8.6A 7.3A	10A Ta
Количество элементов	2	1
Время отключения	33 ns	25 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®, SyncFET™
Опубликовано	2006	2004
Код JESD-609	e3	e4
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	17mOhm	12MOhm
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Максимальная потеря мощности	900mW	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2W	2.5W
Тип ТРВ	N and P-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	17m Ω @ 8.6A, 10V	12m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1205pF @ 15V	910pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	24nC @ 10V	23nC @ 10V
Время подъема	10ns	5ns
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	-
Время падения (тип)	16 ns	6 ns
Непрерывный ток стока (ID)	8.6A	10A
Пороговое напряжение	1.6V	1.6V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	25V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	-60V	30V
Двухпитание напряжения	30V	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	-
Номинальное Vgs	1.6 V	1.6 V
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	5mm	5mm
Ширина	4mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния	-	2.5W Ta
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V
Моментальный ток	-	10A
Конфигурация элемента	-	Single
Время задержки включения	-	8 ns
Угол настройки (макс.)	-	±20V

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6690A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS6690A - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Surface Mount	Для сравнения
FDS6690AS	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
DMG4800LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO	Для сравнения
BSO119N03S	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET, N, 30V, SO-8	Для сравнения