Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6930B Альтернативные части: FDS6912A ,FDS6630A
FDS6930BON Semiconductor
В наличии: 4465
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
90.188352 ₽
90.25 ₽
10
85.083310 ₽
850.82 ₽
100
80.267349 ₽
8,026.79 ₽
500
75.723874 ₽
37,861.95 ₽
1000
71.437624 ₽
71,437.64 ₽
Цена за единицу: 90.188352 ₽
Итоговая цена: 90.25 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks | 18 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Время отключения | 16 ns | 23 ns | 17 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2010 | 2003 | 1999 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 38MOhm | 28MOhm | 38mOhm |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 30V | 30V |
Максимальная потеря мощности | 2W | 1.6W | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - | - |
Моментальный ток | 5.5A | 6A | 6.5A |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | - |
Напряжение | 30V | - | - |
Текущий | 55A | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2W | 1.6W | 2.5W |
Время задержки включения | 6 ns | 8 ns | 5 ns |
Мощность - Макс | 900mW | 900mW | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 38m Ω @ 5.5A, 10V | 28m Ω @ 6A, 10V | 38m Ω @ 6.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 412pF @ 15V | 575pF @ 15V | 460pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 3.8nC @ 5V | 8.1nC @ 5V | 7nC @ 5V |
Время подъема | 6ns | 5ns | 8ns |
Время падения (тип) | 2 ns | 5 ns | 13 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 5.5A | 6A | 6.5A |
Пороговое напряжение | 1.9V | 1.9V | 1.7V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
Номинальное Vgs | 1.9 V | - | 1.7 V |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | 60 pF | - | - |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.575mm |
Длина | 5mm | 5mm | 4.9mm |
Ширина | 4mm | 4mm | 3.9mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Вес | - | 187mg | 130mg |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Дополнительная Характеристика | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Конфигурация элемента | - | Dual | Single |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 6A | - |
Двухпитание напряжения | - | 30V | 30V |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | - | 6.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 2.5W Ta |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±20V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6912A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | Для сравнения |
| FDS6630A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| FDFS6N303 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | Для сравнения |
 | IRF9389TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO | Для сравнения |