FDS6930B Альтернативные части: IRF9389TRPBF

FDS6930BON Semiconductor

В наличии: 4465

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
90.188352 ₽
90.25 ₽
10
85.083310 ₽
850.82 ₽
100
80.267349 ₽
8,026.79 ₽
500
75.723874 ₽
37,861.95 ₽
1000
71.437624 ₽
71,437.64 ₽

Цена за единицу: 90.188352 ₽

Итоговая цена: 90.25 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS6930B	иIRF9389TRPBF
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	-
Срок поставки от производителя	10 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Количество элементов	2	2
Время отключения	16 ns	17 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	HEXFET®
Опубликовано	2010	2008
Код JESD-609	e3	-
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	38MOhm	-
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-
Максимальная потеря мощности	2W	2W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-
Моментальный ток	5.5A	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Напряжение	30V	-
Текущий	55A	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2W	2W
Время задержки включения	6 ns	-
Мощность - Макс	900mW	-
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	N and P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	38m Ω @ 5.5A, 10V	27m Ω @ 6.8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2.3V @ 10μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	412pF @ 15V	398pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	3.8nC @ 5V	14nC @ 10V
Время подъема	6ns	14ns
Время падения (тип)	2 ns	15 ns
Непрерывный ток стока (ID)	5.5A	4.6A
Пороговое напряжение	1.9V	1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Номинальное Vgs	1.9 V	-
Обратная ёмкость-Макс (Crss)	60 pF	-
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	5mm	5mm
Ширина	4mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	-	6.8A 4.6A
Основной номер части	-	IRF9389
Конфигурация элемента	-	Dual
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Максимальный импульсный ток вывода	-	34A
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6912A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC	Для сравнения
FDS6630A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
FDFS6N303	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC	Для сравнения
IRF9389TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO	Для сравнения