FDS6294 Альтернативные части: IRF7413ZTRPBF ,FDS6298

FDS6294ON Semiconductor

В наличии: 18921

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
35.424354 ₽
35.44 ₽
10
33.419203 ₽
334.20 ₽
100
31.527541 ₽
3,152.75 ₽
500
29.742967 ₽
14,871.43 ₽
1000
28.059423 ₽
28,059.48 ₽

Цена за единицу: 35.424354 ₽

Итоговая цена: 35.44 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS6294	иIRF7413ZTRPBF	иFDS6298
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	-	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя	18 Weeks	12 Weeks	18 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	130mg	-	130mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	13A Ta	13A Ta	13A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	3W Ta	2.5W Ta	3W Ta
Время отключения	24 ns	11 ns	27 ns
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	HEXFET®	PowerTrench®
Опубликовано	2007	2005	2007
Код JESD-609	e3	-	e3
Безоловая кодировка	yes	-	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	8
Завершение	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	11.3MOhm	10MOhm	15MOhm
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-	Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	30V	30V
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	13A	13A	13A
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	3W	2.5W	3W
Время задержки включения	9 ns	8.7 ns	11 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	11.3m Ω @ 13A, 10V	10m Ω @ 13A, 10V	9m Ω @ 13A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2.25V @ 25μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1205pF @ 15V	1210pF @ 15V	1108pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	14nC @ 5V	14nC @ 4.5V	14nC @ 5V
Время подъема	4ns	6.3ns	5ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	6 ns	3.8 ns	7 ns
Непрерывный ток стока (ID)	13A	13A	13A
Пороговое напряжение	1.8V	1.8V	1.7V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Максимальный импульсный ток вывода	50A	-	50A
Двухпитание напряжения	30V	30V	30V
Номинальное Vgs	1.8 V	1.8 V	1.7 V
Высота	1.5mm	1.4986mm	1.5mm
Длина	5mm	4.9784mm	5mm
Ширина	4mm	3.9878mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead, Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin	-
Интервал строк	-	6.3 mm	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	32 mJ	-
Время восстановления	-	36 ns	-
Дополнительная Характеристика	-	-	FAST SWITCHING

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6690A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS6690A - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Surface Mount	Для сравнения
IRF7413ZTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6298	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC	Для сравнения