Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6294 Альтернативные части: IRF7413ZTRPBF
FDS6294ON Semiconductor
В наличии: 18921
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
35.424354 ₽
35.44 ₽
10
33.419203 ₽
334.20 ₽
100
31.527541 ₽
3,152.75 ₽
500
29.742967 ₽
14,871.43 ₽
1000
28.059423 ₽
28,059.48 ₽
Цена за единицу: 35.424354 ₽
Итоговая цена: 35.44 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 130mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 13A Ta | 13A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 3W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 24 ns | 11 ns |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® |
Опубликовано | 2007 | 2005 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 11.3MOhm | 10MOhm |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 30V |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 13A | 13A |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 3W | 2.5W |
Время задержки включения | 9 ns | 8.7 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 11.3m Ω @ 13A, 10V | 10m Ω @ 13A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.25V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1205pF @ 15V | 1210pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 14nC @ 5V | 14nC @ 4.5V |
Время подъема | 4ns | 6.3ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 6 ns | 3.8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 13A | 13A |
Пороговое напряжение | 1.8V | 1.8V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 50A | - |
Двухпитание напряжения | 30V | 30V |
Номинальное Vgs | 1.8 V | 1.8 V |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |
Интервал строк | - | 6.3 mm |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 32 mJ |
Время восстановления | - | 36 ns |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6690A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS6690A - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Surface Mount | Для сравнения |
 | IRF7413ZTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | Для сравнения |
| FDS6298 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | Для сравнения |