Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS4935A Альтернативные части: SI4834CDY-T1-E3 ,NTMS4800NR2G
FDS4935AON Semiconductor
В наличии: 21828
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
149.674286 ₽
149.73 ₽
10
141.202143 ₽
1,412.09 ₽
100
133.209533 ₽
13,321.02 ₽
500
125.669409 ₽
62,834.75 ₽
1000
118.556044 ₽
118,556.04 ₽
Цена за единицу: 149.674286 ₽
Итоговая цена: 149.73 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | ON SEMICONDUCTOR - FDS4935A - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC | MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V | MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - | OBSOLETE (Last Updated: 19 hours ago) |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 15 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Время отключения | 48 ns | 18 ns | 21 ns |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | TrenchFET® | - |
Опубликовано | 2002 | 2009 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | 8 |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Сопротивление | 23MOhm | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -30V | - | - |
Максимальная потеря мощности | 900mW | 2W | - |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Моментальный ток | -7A | - | - |
Напряжение | 30V | - | - |
Конфигурация элемента | Dual | - | Single |
Текущий | 7A | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.6W | 2W | 2W |
Время задержки включения | 13 ns | 17 ns | 9.4 ns |
Тип ТРВ | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 23m Ω @ 7A, 10V | 20mOhm @ 8A, 10V | 20m Ω @ 7.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 1mA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1233pF @ 15V | 950pF @ 15V | 940pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 21nC @ 5V | 25nC @ 10V | 7.7nC @ 4.5V |
Время подъема | 10ns | 12ns | 4ns |
Время падения (тип) | 25 ns | 10 ns | 6.5 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7A | 8A | 6.4A |
Пороговое напряжение | -1.6V | - | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | - | 30V |
Двухпитание напряжения | -30V | 30V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Standard | - |
Номинальное Vgs | -1.6 V | 3 V | - |
Высота | 1.5mm | - | - |
Длина | 5mm | - | - |
Ширина | 4mm | - | - |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Поставщик упаковки устройства | - | 8-SO | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 8A | 4.9A Ta |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Основной номер части | - | SI4834 | - |
Мощность - Макс | - | 2.9W | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | - |
Входной ёмкости | - | 950pF | - |
Сопротивление стока к истоку | - | 20mOhm | - |
Rds на макс. | - | 20 mΩ | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 750mW Ta |
Конечная обработка контакта | - | - | Tin (Sn) |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Число контактов | - | - | 8 |
Сокетная связка | - | - | DRAIN |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 8A |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.02Ohm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF9362TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC | Для сравнения |
 | SI4834CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V | Для сравнения |
 | NTMS4800NR2G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC | Для сравнения |
| SI4830CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V 8A / 8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky | Для сравнения |