Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS4935A Альтернативные части: SI4830CDY-T1-GE3
FDS4935AON Semiconductor
В наличии: 21828
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
149.674286 ₽
149.73 ₽
10
141.202143 ₽
1,412.09 ₽
100
133.209533 ₽
13,321.02 ₽
500
125.669409 ₽
62,834.75 ₽
1000
118.556044 ₽
118,556.04 ₽
Цена за единицу: 149.674286 ₽
Итоговая цена: 149.73 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | ON SEMICONDUCTOR - FDS4935A - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC | MOSFET 30V 8A / 8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 |
Время отключения | 48 ns | 19 ns |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | LITTLE FOOT® |
Опубликовано | 2002 | 2013 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 23MOhm | 20MOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -30V | - |
Максимальная потеря мощности | 900mW | 2.9W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | -7A | - |
Напряжение | 30V | - |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Текущий | 7A | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.6W | 2W |
Время задержки включения | 13 ns | 17 ns |
Тип ТРВ | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 23m Ω @ 7A, 10V | 20m Ω @ 8A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 1mA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1233pF @ 15V | 950pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 21nC @ 5V | 25nC @ 10V |
Время подъема | 10ns | 12ns |
Время падения (тип) | 25 ns | 10 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7A | 7.5A |
Пороговое напряжение | -1.6V | 1V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | 30V |
Двухпитание напряжения | -30V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Номинальное Vgs | -1.6 V | - |
Высота | 1.5mm | 1.5494mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | Unknown |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Вес | - | 506.605978mg |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 8A |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 30 |
Основной номер части | - | SI4830 |
Число контактов | - | 8 |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF9362TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC | Для сравнения |
 | SI4834CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V | Для сравнения |
 | NTMS4800NR2G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC | Для сравнения |
| SI4830CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V 8A / 8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky | Для сравнения |