Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDN360P Альтернативные части: FDN357N ,BSS306NH6327XTSA1
FDN360PON Semiconductor
В наличии: 55800
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
20.608379 ₽
20.60 ₽
10
19.441868 ₽
194.37 ₽
100
18.341387 ₽
1,834.20 ₽
500
17.303187 ₽
8,651.65 ₽
1000
16.323764 ₽
16,323.76 ₽
Цена за единицу: 20.608379 ₽
Итоговая цена: 20.60 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2A Ta | 1.9A Ta | 2.3A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 500mW Ta | 500mW Ta | 500mW Ta |
Время отключения | 11 ns | 12 ns | 8.3 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | - | OptiMOS™ |
Опубликовано | 2003 | 1998 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 80MOhm | 60MOhm | - |
Дополнительная Характеристика | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -30V | 30V | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | -2A | 1.9A | - |
Каналов количество | 1 | - | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 500mW | 500mW | 500mW |
Время задержки включения | 6 ns | 5 ns | 4.4 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 80m Ω @ 2A, 10V | 60m Ω @ 2.2A, 10V | 57m Ω @ 2.3A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2V @ 250μA | 2V @ 11μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 298pF @ 15V | 235pF @ 10V | 275pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9nC @ 10V | 5.9nC @ 5V | 1.5nC @ 5V |
Время подъема | 13ns | 12ns | 2.3ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 6 ns | 12 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 2A | 1.9A | 2.3A |
Пороговое напряжение | 20V | 1.6V | 1.2V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 2A | - | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | -30V | 30V | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | 150°C |
Высота | 1.22mm | 940μm | 1.1mm |
Длина | 2.92mm | 2.92mm | - |
Ширина | 1.4mm | 3.05mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | - |
Номинальное Vgs | - | 1.6 V | - |
Минимальная разрушающая напряжение | - | 30V | - |
Производитель идентификатор упаковки | - | - | PG-SOT23 |
Число контактов | - | - | 3 |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Без галогенов | - | - | Halogen Free |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | - | - | 30V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.057Ohm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| FDN358P | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3 | Для сравнения |
| NDS355AN | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
| FDN357N | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | Для сравнения |