Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDN360P Альтернативные части: FDN358P
FDN360PON Semiconductor
В наличии: 55800
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
20.608379 ₽
20.60 ₽
10
19.441868 ₽
194.37 ₽
100
18.341387 ₽
1,834.20 ₽
500
17.303187 ₽
8,651.65 ₽
1000
16.323764 ₽
16,323.76 ₽
Цена за единицу: 20.608379 ₽
Итоговая цена: 20.60 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 | 30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2A Ta | 1.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 500mW Ta | 500mW Ta |
Время отключения | 11 ns | 12 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2003 | 2003 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 80MOhm | 125MOhm |
Дополнительная Характеристика | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -30V | -30V |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | -2A | -1.5A |
Каналов количество | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 500mW | 500mW |
Время задержки включения | 6 ns | 5 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 80m Ω @ 2A, 10V | 125m Ω @ 1.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 298pF @ 15V | 182pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9nC @ 10V | 5.6nC @ 10V |
Время подъема | 13ns | 13ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 6 ns | 13 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 2A | 1.5A |
Пороговое напряжение | 20V | -1.9V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 2A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | -30V |
Двухпитание напряжения | -30V | -30V |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | 150°C |
Высота | 1.22mm | 1.22mm |
Длина | 2.92mm | 2.92mm |
Ширина | 1.4mm | 3.05mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Номинальное Vgs | - | -1.9 V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| FDN358P | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3 | Для сравнения |
| NDS355AN | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
| FDN357N | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | Для сравнения |