FDN358PON Semiconductor
В наличии: 3467
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
20.730769 ₽
20.74 ₽
10
19.557335 ₽
195.60 ₽
100
18.450316 ₽
1,845.05 ₽
500
17.405948 ₽
8,703.02 ₽
1000
16.420714 ₽
16,420.74 ₽
Цена за единицу: 20.730769 ₽
Итоговая цена: 20.74 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | 30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 7 hours ago) |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 1.5A Ta | 1.9A Ta | 1.4A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 500mW Ta | 500mW Ta | 500mW Ta |
Время отключения | 12 ns | 12 ns | 16 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | - | PowerTrench® |
Опубликовано | 2003 | 1998 | 2017 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 125MOhm | 60MOhm | - |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -30V | 30V | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | -1.5A | 1.9A | - |
Каналов количество | 1 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 500mW | 500mW | 500mW |
Время задержки включения | 5 ns | 5 ns | 3 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 125m Ω @ 1.5A, 10V | 60m Ω @ 2.2A, 10V | 110m Ω @ 1.4A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 182pF @ 15V | 235pF @ 10V | 193pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 5.6nC @ 10V | 5.9nC @ 5V | 1.8nC @ 4.5V |
Время подъема | 13ns | 12ns | 8ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 13 ns | 12 ns | 8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 1.5A | 1.9A | 1.4A |
Пороговое напряжение | -1.9V | 1.6V | 2.1V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | -30V | 30V | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | - |
Номинальное Vgs | -1.9 V | 1.6 V | - |
Высота | 1.22mm | 940μm | 940μm |
Длина | 2.92mm | 2.92mm | 1.4mm |
Ширина | 3.05mm | 3.05mm | 2.92mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Дополнительная Характеристика | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | FAST SWITCHING |
Минимальная разрушающая напряжение | - | 30V | - |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | NOT SPECIFIED |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |