FDN358P Альтернативные части: FDN361BN

FDN358PON Semiconductor

В наличии: 3467

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
20.730769 ₽
20.74 ₽
10
19.557335 ₽
195.60 ₽
100
18.450316 ₽
1,845.05 ₽
500
17.405948 ₽
8,703.02 ₽
1000
16.420714 ₽
16,420.74 ₽

Цена за единицу: 20.730769 ₽

Итоговая цена: 20.74 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDN358P	иFDN361BN
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3	MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)
Срок поставки от производителя	10 Weeks	10 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	30mg	30mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	1.5A Ta	1.4A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	500mW Ta	500mW Ta
Время отключения	12 ns	16 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®
Опубликовано	2003	2017
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	125MOhm	-
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-30V	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	-1.5A	-
Каналов количество	1	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	500mW	500mW
Время задержки включения	5 ns	3 ns
Тип ТРВ	P-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	125m Ω @ 1.5A, 10V	110m Ω @ 1.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	182pF @ 15V	193pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	5.6nC @ 10V	1.8nC @ 4.5V
Время подъема	13ns	8ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	13 ns	8 ns
Непрерывный ток стока (ID)	1.5A	1.4A
Пороговое напряжение	-1.9V	2.1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	-30V	30V
Двухпитание напряжения	-30V	-
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-
Номинальное Vgs	-1.9 V	-
Высота	1.22mm	940μm
Длина	2.92mm	1.4mm
Ширина	3.05mm	2.92mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin
Дополнительная Характеристика	-	FAST SWITCHING
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус	-	Not Qualified

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
NDS355AN	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения
ZXMP3A13FTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3	Для сравнения
FDN357N	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3	Для сравнения
FDN361BN	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3	Для сравнения