DTC914TUBTL Альтернативные части: MSD1328-RT1G ,DTC923TUBTL

DTC914TUBTLROHM Semiconductor

  • DTC914TUBTLROHM Semiconductor
  • MSD1328-RT1GON Semiconductor
  • DTC923TUBTLROHM Semiconductor

В наличии: 6000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.152473 ₽

    5.22 ₽

  • 10

    4.860824 ₽

    48.63 ₽

  • 100

    4.585687 ₽

    458.52 ₽

  • 500

    4.326113 ₽

    2,163.05 ₽

  • 1000

    4.081236 ₽

    4,081.18 ₽

Цена за единицу: 5.152473 ₽

Итоговая цена: 5.22 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F
TRANS NPN 20V 0.5A SC-59
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F
Срок поставки от производителя
13 Weeks
-
7 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
-
Корпус / Кейс
SC-85
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC
Количество контактов
85
3
85
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
20V
20V
20V
Количество элементов
1
1
1
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2013
2009
2013
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная рабочая температура
150°C
-
150°C
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
FLAT
GULL WING
FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
260
NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH
not_compliant
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
40
NOT SPECIFIED
Код JESD-30
R-PDSO-F3
-
R-PDSO-F3
Направленность
NPN
-
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
SWITCHING
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
NPN
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100mV
20V
100mV
Максимальный ток сбора
400mA
500mA
400mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
820 @ 10mA 5V
200 @ 500mA 2V
-
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA ICBO
100nA ICBO
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
400mV @ 20mA, 500mA
-
Максимальная частота
35MHz
-
35MHz
Частота перехода
35MHz
-
35MHz
Максимальное напряжение разрушения
20V
-
20V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
40V
12V
40V
База (R1)
10 k Ω
-
-
Прямоходящий ток коллектора
400mA
-
400mA
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
-
Минимальная частота работы в герцах
-
200
-
Рабочая температура
-
150°C TJ
-
Код JESD-609
-
e3
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
20V
-
Моментальный ток
-
-500mA
-
Число контактов
-
3
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Распад мощности
-
200mW
-
Полярность/Тип канала
-
NPN
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
25V
-
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
-
-
820