Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DTC914TUBTL Альтернативные части: MSD1328-RT1G
DTC914TUBTLROHM Semiconductor
В наличии: 6000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.152473 ₽
5.22 ₽
10
4.860824 ₽
48.63 ₽
100
4.585687 ₽
458.52 ₽
500
4.326113 ₽
2,163.05 ₽
1000
4.081236 ₽
4,081.18 ₽
Цена за единицу: 5.152473 ₽
Итоговая цена: 5.22 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F | TRANS NPN 20V 0.5A SC-59 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-85 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 85 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 20V | 20V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2009 |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 |
Код соответствия REACH | not_compliant | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 40 |
Код JESD-30 | R-PDSO-F3 | - |
Направленность | NPN | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Применение транзистора | SWITCHING | AMPLIFIER |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 100mV | 20V |
Максимальный ток сбора | 400mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 820 @ 10mA 5V | 200 @ 500mA 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 100mV @ 3mA, 30mA | 400mV @ 20mA, 500mA |
Максимальная частота | 35MHz | - |
Частота перехода | 35MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 20V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 40V | 12V |
База (R1) | 10 k Ω | - |
Прямоходящий ток коллектора | 400mA | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago) |
Минимальная частота работы в герцах | - | 200 |
Рабочая температура | - | 150°C TJ |
Код JESD-609 | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 20V |
Моментальный ток | - | -500mA |
Число контактов | - | 3 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Распад мощности | - | 200mW |
Полярность/Тип канала | - | NPN |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 25V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTC943TUBTL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC | TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F | Для сравнения |
 | MSD1328-RT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 20V 0.5A SC-59 | Для сравнения |
| DTC923TUBTL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC | TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F | Для сравнения |