Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DTC914TUBTL Альтернативные части: DTC923TUBTL ,DTC943TUBTL
DTC914TUBTLROHM Semiconductor
В наличии: 6000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.152473 ₽
5.22 ₽
10
4.860824 ₽
48.63 ₽
100
4.585687 ₽
458.52 ₽
500
4.326113 ₽
2,163.05 ₽
1000
4.081236 ₽
4,081.18 ₽
Цена за единицу: 5.152473 ₽
Итоговая цена: 5.22 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F | TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F | TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 7 Weeks | 7 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | - | - |
Корпус / Кейс | SC-85 | SC | SC |
Количество контактов | 85 | 85 | 85 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 20V | 20V | 20V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2013 | 2013 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | FLAT | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Код соответствия REACH | not_compliant | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Код JESD-30 | R-PDSO-F3 | R-PDSO-F3 | R-PDSO-F3 |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | - | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 100mV | 100mV | 100mV |
Максимальный ток сбора | 400mA | 400mA | 400mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 820 @ 10mA 5V | - | - |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA ICBO | - | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 100mV @ 3mA, 30mA | - | - |
Максимальная частота | 35MHz | 35MHz | 35MHz |
Частота перехода | 35MHz | 35MHz | 35MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 20V | 20V | 20V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 40V | 40V | 40V |
База (R1) | 10 k Ω | - | - |
Прямоходящий ток коллектора | 400mA | 400mA | 400mA |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | - | 820 | 820 |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTC943TUBTL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC | TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F | Для сравнения |
 | MSD1328-RT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 20V 0.5A SC-59 | Для сравнения |
| DTC923TUBTL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC | TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F | Для сравнения |