Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DTC143ZUAT106 Альтернативные части: DTC143TUAT106 ,DTC114TUAT106
DTC143ZUAT106ROHM Semiconductor
В наличии: 40992
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
9.656731 ₽
9.62 ₽
10
9.110124 ₽
91.07 ₽
100
8.594451 ₽
859.48 ₽
500
8.107981 ₽
4,053.98 ₽
1000
7.649038 ₽
7,649.04 ₽
Цена за единицу: 9.656731 ₽
Итоговая цена: 9.62 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 100 | 100 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2009 | 2009 |
Код JESD-609 | e1 | e1 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Not For New Designs | Not For New Designs | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 | BUILT-IN BIAS RESISTOR | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Моментальный ток | 100mA | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 | 10 |
Основной номер части | DTC143 | DTC143 | DTC114 |
Число контактов | 3 | 3 | 3 |
Максимальный выходной ток | 100mA | 100mA | 100mA |
Входной напряжение питания | 50V | 50V | 50V |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 100 @ 1mA 5V | 100 @ 1mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA | 500nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 150mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 1mA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
База (R1) | 4.7 k Ω | 4.7 k Ω | 10 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47 k Ω | - | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 5V | 5V |
Покрытие контактов | - | - | Copper, Silver, Tin |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTC143TUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |
| DTC114TUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |
 | MUN2236T1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 | Для сравнения |
| DTC123JUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |