DTC143ZUAT106 Альтернативные части: MUN2236T1

DTC143ZUAT106ROHM Semiconductor

  • DTC143ZUAT106ROHM Semiconductor
  • MUN2236T1ON Semiconductor

В наличии: 40992

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    9.656731 ₽

    9.62 ₽

  • 10

    9.110124 ₽

    91.07 ₽

  • 100

    8.594451 ₽

    859.48 ₽

  • 500

    8.107981 ₽

    4,053.98 ₽

  • 1000

    7.649038 ₽

    7,649.04 ₽

Цена за единицу: 9.656731 ₽

Итоговая цена: 9.62 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Срок поставки от производителя
10 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
80
80
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2007
Код JESD-609
e1
e0
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Not For New Designs
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Завершение
SMD/SMT
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin/Lead (Sn/Pb)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
Максимальная потеря мощности
200mW
338mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
240
Моментальный ток
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
30
Основной номер части
DTC143
-
Число контактов
3
3
Максимальный выходной ток
100mA
-
Входной напряжение питания
50V
-
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
200mW
230mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
80 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 250μA, 5mA
250mV @ 300μA, 10mA
Частота перехода
250MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
50V
-
Частота - Переход
250MHz
-
База (R1)
4.7 k Ω
100 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47 k Ω
100 k Ω
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
Non-RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Contains Lead
Код соответствия REACH
-
not_compliant
Квалификационный Статус
-
Not Qualified