Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DTC114GUAT106 Альтернативные части: RN1317(TE85L,F) ,DTC114EUAT106
DTC114GUAT106ROHM Semiconductor
В наличии: 30
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
21.107912 ₽
21.15 ₽
10
19.913104 ₽
199.18 ₽
100
18.785948 ₽
1,878.57 ₽
500
17.722582 ₽
8,861.26 ₽
1000
16.719478 ₽
16,719.51 ₽
Цена за единицу: 21.107912 ₽
Итоговая цена: 21.15 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 12 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | - | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 30 | 30 | 30 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2009 | 2009 | 2006 |
Код JESD-609 | e1 | - | - |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Not For New Designs | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - | 3 |
Завершение | SMD/SMT | - | - |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR | - | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | - | 50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 100mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Моментальный ток | 100mA | - | 50mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | - | 10 |
Основной номер части | DTC114 | RN131* | DTC114 |
Число контактов | 3 | - | 3 |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 200mW | 100mW | 200mW |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V | 30 @ 10mA 5V | 30 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA ICBO | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | - | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | - | - |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | 50mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10 k Ω | 4.7 k Ω | 10 k Ω |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
База (R1) | - | 10 k Ω | 10 k Ω |
Максимальный выходной ток | - | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | - | 50V |
Номинальное напряжение питания (постоянного тока) | - | - | 50V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTC143EUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |
| DTC143XUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |
 | RN1317(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R | Для сравнения |
| DTC114EUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |