Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DTC114GUAT106 Альтернативные части: RN1317(TE85L,F)
DTC114GUAT106ROHM Semiconductor
В наличии: 30
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
21.107912 ₽
21.15 ₽
10
19.913104 ₽
199.18 ₽
100
18.785948 ₽
1,878.57 ₽
500
17.722582 ₽
8,861.26 ₽
1000
16.719478 ₽
16,719.51 ₽
Цена за единицу: 21.107912 ₽
Итоговая цена: 21.15 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | - |
Минимальная частота работы в герцах | 30 | 30 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2009 |
Код JESD-609 | e1 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Завершение | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | - |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 100mW |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Моментальный ток | 100mA | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | - |
Основной номер части | DTC114 | RN131* |
Число контактов | 3 | - |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 200mW | 100mW |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V | 30 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Частота перехода | 250MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | - |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10 k Ω | 4.7 k Ω |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
База (R1) | - | 10 k Ω |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTC143EUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |
| DTC143XUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |
 | RN1317(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R | Для сравнения |
| DTC114EUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |