DTA123JUAT106ROHM Semiconductor
В наличии: 2800
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
1.332692 ₽
1.37 ₽
500
0.979918 ₽
489.97 ₽
1000
0.816607 ₽
816.62 ₽
2000
0.749176 ₽
1,498.35 ₽
5000
0.700165 ₽
3,500.82 ₽
10000
0.651319 ₽
6,513.19 ₽
15000
0.629904 ₽
9,448.63 ₽
50000
0.619368 ₽
30,968.41 ₽
Цена за единицу: 1.332692 ₽
Итоговая цена: 1.37 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | Transistors Switching - Resistor Biased PNP Si Transistor Epitaxial | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 36 Weeks | 6 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 68 | 56 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | - | - |
Код JESD-609 | e1 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Not For New Designs | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Завершение | SMD/SMT | - | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.95 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | - |
Моментальный ток | -100mA | -100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | - | - |
Основной номер части | DTA123 | FJX4006 | FJX4003 |
Число контактов | 3 | - | - |
Направленность | PNP | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 68 @ 5mA 5V | 56 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 200MHz | 200MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 200MHz | 200MHz |
База (R1) | 2.2 k Ω | 10 k Ω | 22 k Ω |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47 k Ω | 47 k Ω | 22 k Ω |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | LIFETIME (Last Updated: 4 days ago) |
Вес | - | 30mg | 30mg |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | -50V | -50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | -10V | -10V |
Прямоходящий ток коллектора | - | -100mA | -100mA |