DTA123JUAT106 Альтернативные части: FJX4006RTF ,FJX4003RTF

DTA123JUAT106ROHM Semiconductor

  • DTA123JUAT106ROHM Semiconductor
  • FJX4006RTFON Semiconductor
  • FJX4003RTFON Semiconductor

В наличии: 2800

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1.332692 ₽

    1.37 ₽

  • 500

    0.979918 ₽

    489.97 ₽

  • 1000

    0.816607 ₽

    816.62 ₽

  • 2000

    0.749176 ₽

    1,498.35 ₽

  • 5000

    0.700165 ₽

    3,500.82 ₽

  • 10000

    0.651319 ₽

    6,513.19 ₽

  • 15000

    0.629904 ₽

    9,448.63 ₽

  • 50000

    0.619368 ₽

    30,968.41 ₽

Цена за единицу: 1.332692 ₽

Итоговая цена: 1.37 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Transistors Switching - Resistor Biased PNP Si Transistor Epitaxial
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R
Срок поставки от производителя
10 Weeks
36 Weeks
6 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
80
68
56
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
-
-
Код JESD-609
e1
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Not For New Designs
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Завершение
SMD/SMT
-
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
-50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
-
Моментальный ток
-100mA
-100mA
-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
-
-
Основной номер части
DTA123
FJX4006
FJX4003
Число контактов
3
-
-
Направленность
PNP
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
50V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
68 @ 5mA 5V
56 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода
250MHz
200MHz
200MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
200MHz
200MHz
База (R1)
2.2 k Ω
10 k Ω
22 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47 k Ω
47 k Ω
22 k Ω
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
LIFETIME (Last Updated: 4 days ago)
Вес
-
30mg
30mg
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-50V
-50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
-10V
-10V
Прямоходящий ток коллектора
-
-100mA
-100mA