DTA123JUAT106 Альтернативные части: DDTA143TUA-7

DTA123JUAT106ROHM Semiconductor

  • DTA123JUAT106ROHM Semiconductor
  • DDTA143TUA-7Diodes Incorporated

В наличии: 2800

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1.332692 ₽

    1.37 ₽

  • 500

    0.979918 ₽

    489.97 ₽

  • 1000

    0.816607 ₽

    816.62 ₽

  • 2000

    0.749176 ₽

    1,498.35 ₽

  • 5000

    0.700165 ₽

    3,500.82 ₽

  • 10000

    0.651319 ₽

    6,513.19 ₽

  • 15000

    0.629904 ₽

    9,448.63 ₽

  • 50000

    0.619368 ₽

    30,968.41 ₽

Цена за единицу: 1.332692 ₽

Итоговая цена: 1.37 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Срок поставки от производителя
10 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
-
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SOT-323
Количество контактов
3
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
80
100
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2007
Код JESD-609
e1
e0
Безоловая кодировка
yes
no
Состояние изделия
Not For New Designs
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Завершение
SMD/SMT
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
TIN LEAD
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
BUILT-IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
235
Моментальный ток
-100mA
-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
Основной номер части
DTA123
-
Число контактов
3
3
Направленность
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
-
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 250μA, 5mA
-
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
-
База (R1)
2.2 k Ω
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47 k Ω
-
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Contains Lead
Код соответствия REACH
-
unknown
Код JESD-30
-
R-PDSO-G3
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
5V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
-
100
Прямоходящий ток коллектора
-
-100mA