DTA114YET1G Альтернативные части: DTA144EET1G ,DTA143ZET1G

DTA114YET1GON Semiconductor

  • DTA114YET1GON Semiconductor
  • DTA144EET1GON Semiconductor
  • DTA143ZET1GON Semiconductor

В наличии: 7764

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.513407 ₽

    11.54 ₽

  • 10

    10.861745 ₽

    108.65 ₽

  • 100

    10.246937 ₽

    1,024.73 ₽

  • 500

    9.666854 ₽

    4,833.38 ₽

  • 1000

    9.119670 ₽

    9,119.64 ₽

Цена за единицу: 11.513407 ₽

Итоговая цена: 11.54 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
ON SEMICONDUCTOR - DTA144EET1G - BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/47KOHM, SC75, FULL REEL
ON SEMICONDUCTOR - DTA143ZET1G - BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/4.7KOHM, SC75, FULL REEL
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя
8 Weeks
8 Weeks
8 Weeks
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
Поверхностный монтаж
YES
YES
YES
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
80
80
80
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
2006
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
-50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
-100mA
-100mA
-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
40
Основной номер части
DTA114
DTA144
DTA143
Число контактов
3
3
3
Максимальный выходной ток
100mA
-
-
Входной напряжение питания
50V
-
-
Направленность
PNP
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Без галогенов
Halogen Free
Halogen Free
Halogen Free
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
80 @ 5mA 10V
80 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 300μA, 10mA
250mV @ 300μA, 10mA
250mV @ 300μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения
50V
-
50V
База (R1)
10 k Ω
47 k Ω
4.7 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47 k Ω
47 k Ω
47 k Ω
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
6V
6V
Высота
-
800μm
800μm
Длина
-
1.65mm
1.65mm
Ширина
-
900μm
900μm
Покрытие контактов
-
-
Tin