DTA114YET1G Альтернативные части: DTA123JETL

DTA114YET1GON Semiconductor

  • DTA114YET1GON Semiconductor
  • DTA123JETLROHM Semiconductor

В наличии: 7764

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.513407 ₽

    11.54 ₽

  • 10

    10.861745 ₽

    108.65 ₽

  • 100

    10.246937 ₽

    1,024.73 ₽

  • 500

    9.666854 ₽

    4,833.38 ₽

  • 1000

    9.119670 ₽

    9,119.64 ₽

Цена за единицу: 11.513407 ₽

Итоговая цена: 11.54 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
-
Срок поставки от производителя
8 Weeks
13 Weeks
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
Поверхностный монтаж
YES
-
Количество контактов
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
80
80
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2009
Код JESD-609
e3
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
Максимальная потеря мощности
200mW
150mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
-100mA
-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
10
Основной номер части
DTA114
DTA123
Число контактов
3
3
Максимальный выходной ток
100mA
100mA
Входной напряжение питания
50V
50V
Направленность
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
200mW
150mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Без галогенов
Halogen Free
-
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 300μA, 10mA
300mV @ 250μA, 5mA
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
База (R1)
10 k Ω
2.2 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
-100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47 k Ω
47 k Ω
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Монтаж
-
Surface Mount
Завершение
-
SMD/SMT
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
Частота перехода
-
250MHz
Частота - Переход
-
250MHz
REACH SVHC
-
No SVHC