DTA114YET1GON Semiconductor
В наличии: 7764
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
11.513407 ₽
11.54 ₽
10
10.861745 ₽
108.65 ₽
100
10.246937 ₽
1,024.73 ₽
500
9.666854 ₽
4,833.38 ₽
1000
9.119670 ₽
9,119.64 ₽
Цена за единицу: 11.513407 ₽
Итоговая цена: 11.54 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 | TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 13 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 |
Поверхностный монтаж | YES | - |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 80 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e1 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 150mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | -100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 10 |
Основной номер части | DTA114 | DTA123 |
Число контактов | 3 | 3 |
Максимальный выходной ток | 100mA | 100mA |
Входной напряжение питания | 50V | 50V |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 200mW | 150mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Без галогенов | Halogen Free | - |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
База (R1) | 10 k Ω | 2.2 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | -100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47 k Ω | 47 k Ω |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Монтаж | - | Surface Mount |
Завершение | - | SMD/SMT |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 |
Частота перехода | - | 250MHz |
Частота - Переход | - | 250MHz |
REACH SVHC | - | No SVHC |