DTA113ZKAT146 Альтернативные части: DTA143XKAT146 ,DTA114GKAT146

DTA113ZKAT146ROHM Semiconductor

В наличии: 29610

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.552198 ₽
8.52 ₽
10
8.068104 ₽
80.63 ₽
100
7.611429 ₽
761.13 ₽
500
7.180591 ₽
3,590.25 ₽
1000
6.774148 ₽
6,774.18 ₽

Цена за единицу: 8.552198 ₽

Итоговая цена: 8.52 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDTA113ZKAT146	иDTA143XKAT146	иDTA114GKAT146
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Срок поставки от производителя	13 Weeks	13 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	33	30	30
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	1998	2006	2009
Код JESD-609	e1	-	e1
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	TIN SILVER COPPER
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1	BUILT-IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	-50V	-50V	-50V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	-100mA	-100mA	-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10	10
Основной номер части	DTA113	DTA143	DTA114
Число контактов	3	3	3
Максимальный выходной ток	100mA	100mA	100mA
Входной напряжение питания	50V	50V	50V
Направленность	PNP	PNP	PNP
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	200mW	200mW	200mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased	PNP - Pre-Biased	PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	33 @ 5mA 5V	30 @ 10mA 5V	30 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA	500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода	250MHz	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
База (R1)	1 k Ω	4.7 k Ω	10 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	-7.2mA	-100mA	-
Резистор - Эмиттер-База (R2)	10 k Ω	10 k Ω	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Завершение	-	SMD/SMT	SMD/SMT

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DTA143XKAT146	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3	Для сравнения
DTA114GKAT146	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3	Для сравнения
DTA123YKAT146	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3	Для сравнения