DTA113ZKAT146 Альтернативные части: DTA123YKAT146

DTA113ZKAT146ROHM Semiconductor

В наличии: 29610

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.552198 ₽
8.52 ₽
10
8.068104 ₽
80.63 ₽
100
7.611429 ₽
761.13 ₽
500
7.180591 ₽
3,590.25 ₽
1000
6.774148 ₽
6,774.18 ₽

Цена за единицу: 8.552198 ₽

Итоговая цена: 8.52 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDTA113ZKAT146	иDTA123YKAT146
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Срок поставки от производителя	13 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	33	33
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	1998	2006
Код JESD-609	e1	e1
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	-50V	-50V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	-100mA	-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10
Основной номер части	DTA113	DTA123
Число контактов	3	3
Максимальный выходной ток	100mA	100mA
Входной напряжение питания	50V	50V
Направленность	PNP	PNP
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	200mW	200mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased	PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	33 @ 5mA 5V	33 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz
База (R1)	1 k Ω	2.2 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	-7.2mA	-100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	10 k Ω	10 k Ω
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Завершение	-	SMD/SMT

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DTA143XKAT146	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3	Для сравнения
DTA114GKAT146	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3	Для сравнения
DTA123YKAT146	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3	Для сравнения