DP0150BLP4-7 Альтернативные части: 2DC4617QLP-7 ,BC857BLP4-7

DP0150BLP4-7Diodes Incorporated

В наличии: 181

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
9.373832 ₽
9.34 ₽
500
6.892500 ₽
3,446.29 ₽
1000
5.743750 ₽
5,743.68 ₽
2000
5.269492 ₽
10,539.01 ₽
5000
4.924766 ₽
24,623.90 ₽
10000
4.581181 ₽
45,811.81 ₽
15000
4.430549 ₽
66,458.24 ₽
50000
4.356484 ₽
217,824.18 ₽

Цена за единицу: 9.373832 ₽

Итоговая цена: 9.34 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDP0150BLP4-7	и2DC4617QLP-7	иBC857BLP4-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin DFN T/R	Trans GP BJT PNP 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R	TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN
Срок поставки от производителя	16 Weeks	19 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	3-XFDFN	3-UFDFN	3-XFDFN
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	45V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2015	2011
Код JESD-609	e4	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	-
Максимальная потеря мощности	450mW	250mW	250mW
Положение терминала	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Число контактов	3	3	3
Направленность	PNP	PNP	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Мощность - Макс	450mW	-	250mW
Продуктивность полосы частот	80MHz	100MHz	100MHz
Тип транзистора	NPN	NPN	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	45V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 6V	120 @ 1mA 6V	220 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA	200mV @ 5mA, 50mA	650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	80MHz	100MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
Высота	350μm	470μm	350μm
Длина	1mm	1mm	1mm
Ширина	600μm	600μm	600μm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	-
Минимальная частота работы в герцах	-	120	220
Частота	-	100MHz	-
Основной номер части	-	2DC4617	BC857BLP4
Распад мощности	-	250mW	-
Покрытие контактов	-	-	Gold
Форма вывода	-	-	NO LEAD
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified
Полярность/Тип канала	-	-	PNP

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC857BLP4-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-XFDFN	TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN	Для сравнения
2DA1774QLP-7B	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UFDFN	Trans GP BJT PNP 40V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R	Для сравнения
2DC4617QLP-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UFDFN	Trans GP BJT PNP 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R	Для сравнения