Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DP0150BLP4-7 Альтернативные части: 2DC4617QLP-7
DP0150BLP4-7Diodes Incorporated
В наличии: 181
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
9.373832 ₽
9.34 ₽
500
6.892500 ₽
3,446.29 ₽
1000
5.743750 ₽
5,743.68 ₽
2000
5.269492 ₽
10,539.01 ₽
5000
4.924766 ₽
24,623.90 ₽
10000
4.581181 ₽
45,811.81 ₽
15000
4.430549 ₽
66,458.24 ₽
50000
4.356484 ₽
217,824.18 ₽
Цена за единицу: 9.373832 ₽
Итоговая цена: 9.34 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin DFN T/R | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 19 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 3-XFDFN | 3-UFDFN |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2015 |
Код JESD-609 | e4 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 450mW | 250mW |
Положение терминала | BOTTOM | BOTTOM |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Число контактов | 3 | 3 |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Сокетная связка | COLLECTOR | COLLECTOR |
Мощность - Макс | 450mW | - |
Продуктивность полосы частот | 80MHz | 100MHz |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 2mA 6V | 120 @ 1mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | 200mV @ 5mA, 50mA |
Частота перехода | 80MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Высота | 350μm | 470μm |
Длина | 1mm | 1mm |
Ширина | 600μm | 600μm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Минимальная частота работы в герцах | - | 120 |
Частота | - | 100MHz |
Основной номер части | - | 2DC4617 |
Распад мощности | - | 250mW |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC857BLP4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-XFDFN | TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN | Для сравнения |
 | 2DA1774QLP-7B | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-UFDFN | Trans GP BJT PNP 40V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R | Для сравнения |
| 2DC4617QLP-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-UFDFN | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R | Для сравнения |