Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMTH4007LK3-13 Альтернативные части: DMTH4007SK3-13 ,IRLR8726TRPBF
DMTH4007LK3-13Diodes Incorporated
В наличии: 7325
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
81.553297 ₽
81.59 ₽
10
76.937088 ₽
769.37 ₽
100
72.582143 ₽
7,258.24 ₽
500
68.473681 ₽
34,236.81 ₽
1000
64.597885 ₽
64,597.94 ₽
Цена за единицу: 81.553297 ₽
Итоговая цена: 81.59 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 | MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK |
Срок поставки от производителя | 23 Weeks | 23 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 16.8A Ta 70A Tc | 17.6A Ta 76A Tc | 86A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | - | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.6W Ta | 3.1W Ta | 75W Tc |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2015 | 2016 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | - | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | - |
Положение терминала | SINGLE | - | SINGLE |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 260 |
Код соответствия REACH | not_compliant | not_compliant | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 30 |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | - | R-PSSO-G2 |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | DRAIN | - | DRAIN |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 7.3m Ω @ 20A, 10V | 6m Ω @ 20A, 10V | 5.8m Ω @ 25A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 4V @ 250μA | 2.35V @ 50μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1895pF @ 30V | 2082pF @ 25V | 2150pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 29.1nC @ 10V | 41.9nC @ 10V | 23nC @ 4.5V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | 40V | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 70A | 76A | 86A |
Максимальный сливовой ток (ID) | 16.8A | - | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.0098Ohm | - | 0.058Ohm |
Максимальный импульсный ток вывода | 80A | - | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 40V | - | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 20 mJ | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Серия | - | Automotive, AEC-Q101 | HEXFET® |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество контактов | - | - | 3 |
Время отключения | - | - | 15 ns |
Распад мощности | - | - | 75W |
Время задержки включения | - | - | 12 ns |
Время подъема | - | - | 49ns |
Время падения (тип) | - | - | 16 ns |
Код JEDEC-95 | - | - | TO-252AA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | - | - | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | - | 30V |
Высота | - | - | 2.3876mm |
Длина | - | - | 6.7056mm |
Ширина | - | - | 6.22mm |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLR8726PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | Для сравнения |
 | IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | Для сравнения |
 | DMTH4007SK3-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK | Для сравнения |
| IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | Для сравнения |