DMTH4007LK3-13 Альтернативные части: IRLR8726TRPBF

DMTH4007LK3-13Diodes Incorporated

В наличии: 7325

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
81.553297 ₽
81.59 ₽
10
76.937088 ₽
769.37 ₽
100
72.582143 ₽
7,258.24 ₽
500
68.473681 ₽
34,236.81 ₽
1000
64.597885 ₽
64,597.94 ₽

Цена за единицу: 81.553297 ₽

Итоговая цена: 81.59 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMTH4007LK3-13	иIRLR8726TRPBF
Производитель:	Diodes Incorporated	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Срок поставки от производителя	23 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	16.8A Ta 70A Tc	86A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.6W Ta	75W Tc
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2015	2007
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Положение терминала	SINGLE	SINGLE
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	260
Код соответствия REACH	not_compliant	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	30
Нормативная Марка	AEC-Q101	-
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	7.3m Ω @ 20A, 10V	5.8m Ω @ 25A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2.35V @ 50μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1895pF @ 30V	2150pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	29.1nC @ 10V	23nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)	40V	-
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	70A	86A
Максимальный сливовой ток (ID)	16.8A	-
Сопротивление открытого канала-макс	0.0098Ohm	0.058Ohm
Максимальный импульсный ток вывода	80A	-
Минимальная напряжённость разрушения	40V	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	20 mJ	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Количество контактов	-	3
Время отключения	-	15 ns
Серия	-	HEXFET®
Распад мощности	-	75W
Время задержки включения	-	12 ns
Время подъема	-	49ns
Время падения (тип)	-	16 ns
Код JEDEC-95	-	TO-252AA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	-	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V
Высота	-	2.3876mm
Длина	-	6.7056mm
Ширина	-	6.22mm
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRLR8726PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK	Для сравнения
IPD50N04S4L08ATMA1	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313	Для сравнения
DMTH4007SK3-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK	Для сравнения
IRLR8726TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK	Для сравнения