Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMS3015SSS-13 Альтернативные части: IRF8714PBF ,IRF8714TRPBF
DMS3015SSS-13Diodes Incorporated
В наличии: 1355
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
66.202088 ₽
66.21 ₽
10
62.454766 ₽
624.59 ₽
100
58.919670 ₽
5,892.03 ₽
500
55.584519 ₽
27,792.31 ₽
1000
52.438297 ₽
52,438.32 ₽
Цена за единицу: 66.202088 ₽
Итоговая цена: 66.21 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET MOSFET N-CHAN | Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 7 Weeks | 14 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 11A Ta | 14A Ta | 14A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.55W Ta | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 29.7 ns | 11 ns | 11 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2007 | 2004 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Obsolete | Discontinued | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 30 | 30 |
Число контактов | 8 | - | - |
Каналов количество | 1 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.55W | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 15.8 ns | 10 ns | 10 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 11.9m Ω @ 11A, 10V | 8.7m Ω @ 14A, 10V | 8.7m Ω @ 14A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 2.35V @ 25μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1276pF @ 15V | 1020pF @ 15V | 1020pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 30.6nC @ 10V | 12nC @ 4.5V | 12nC @ 4.5V |
Время подъема | 27.8ns | 9.9ns | 9.9ns |
Угол настройки (макс.) | ±12V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 13.6 ns | 5 ns | 5 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 11A | 14A | 14A |
Пороговое напряжение | 1.5V | 1.8V | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Характеристика ТРП | Schottky Diode (Body) | - | - |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm | 1.4986mm |
Длина | 4.95mm | 4.9784mm | 4.9784mm |
Ширина | 3.95mm | 3.9878mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Серия | - | HEXFET® | HEXFET® |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Сопротивление | - | 8.7MOhm | 8.7MOhm |
Двухпитание напряжения | - | 30V | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 65 mJ | 65 mJ |
Время восстановления | - | 21 ns | - |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V | 1.8 V |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMG4406LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO | Для сравнения |
 | IRF8714PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 | Для сравнения |
| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8721TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |