Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMS3015SSS-13 Альтернативные части: DMG4406LSS-13
DMS3015SSS-13Diodes Incorporated
В наличии: 1355
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
66.202088 ₽
66.21 ₽
10
62.454766 ₽
624.59 ₽
100
58.919670 ₽
5,892.03 ₽
500
55.584519 ₽
27,792.31 ₽
1000
52.438297 ₽
52,438.32 ₽
Цена за единицу: 66.202088 ₽
Итоговая цена: 66.21 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET MOSFET N-CHAN | MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO |
Срок поставки от производителя | 7 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | 73.992255mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 11A Ta | 10.3A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.55W Ta | 1.5W Ta |
Время отключения | 29.7 ns | 22.3 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 30 |
Число контактов | 8 | 8 |
Каналов количество | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.55W | 2W |
Время задержки включения | 15.8 ns | 5.2 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 11.9m Ω @ 11A, 10V | 11m Ω @ 12A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1276pF @ 15V | 1281pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 30.6nC @ 10V | 26.7nC @ 10V |
Время подъема | 27.8ns | 21.2ns |
Угол настройки (макс.) | ±12V | ±20V |
Время падения (тип) | 13.6 ns | 5.1 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 11A | 10.3A |
Пороговое напряжение | 1.5V | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Характеристика ТРП | Schottky Diode (Body) | - |
Высота | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | 4.95mm | 4.95mm |
Ширина | 3.95mm | 3.95mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 9.3A |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 90A |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMG4406LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO | Для сравнения |
 | IRF8714PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 | Для сравнения |
| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8721TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |