Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMS2120LFWB-7 Альтернативные части: DMP2160UFDB-7 ,DMN2050LFDB-13
DMS2120LFWB-7Diodes Incorporated
В наличии: 5984
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
8.932486 ₽
8.93 ₽
500
6.568008 ₽
3,284.07 ₽
1000
5.473379 ₽
5,473.35 ₽
2000
5.021374 ₽
10,042.72 ₽
5000
4.692871 ₽
23,464.29 ₽
10000
4.365495 ₽
43,654.95 ₽
15000
4.221964 ₽
63,329.40 ₽
50000
4.151346 ₽
207,567.31 ₽
Цена за единицу: 8.932486 ₽
Итоговая цена: 8.93 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN | MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN |
Срок поставки от производителя | 6 Weeks | 6 Weeks | 15 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-VDFN Exposed Pad | 6-UDFN Exposed Pad | 6-UDFN Exposed Pad |
Количество контактов | 8 | 6 | - |
Вес | 37.393021mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2.9A Ta | - | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 1.8V 4.5V | - | - |
Количество элементов | 1 | 2 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.5W Ta | - | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2012 | 2013 |
Код JESD-609 | e4 | e4 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Discontinued | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 30 |
Число контактов | 8 | 6 | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Каналов количество | 1 | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | DRAIN | - | DRAIN |
Тип ТРВ | P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 95m Ω @ 2.8A, 4.5V | 70m Ω @ 2.8A, 4.5V | 45m Ω @ 5A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.3V @ 250μA | 900mV @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 632pF @ 10V | 536pF @ 10V | 389pF @ 10V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | 20V | 20V |
Угол настройки (макс.) | ±12V | - | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 2.9A | 3.8A | 3.3A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.095Ohm | 0.07Ohm | 0.045Ohm |
Напряжение пробоя стока к истоку | -20V | -20V | - |
Характеристика ТРП | Schottky Diode (Isolated) | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Высота | 780μm | 750μm | - |
Длина | 3mm | 2mm | - |
Ширина | 2mm | 2mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Время отключения | - | 55.34 ns | 25 ns |
Максимальная потеря мощности | - | 1.4W | 730mW |
Конфигурация элемента | - | Dual | - |
Распад мощности | - | 1.4W | - |
Время задержки включения | - | 11.51 ns | 5 ns |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | - | 6.5nC @ 4.5V | 12nC @ 10V |
Время подъема | - | 12.09ns | 8ns |
Время падения (тип) | - | 12.09 ns | 8 ns |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 13A | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Нормативная Марка | - | - | AEC-Q101 |
Код JESD-30 | - | - | S-PDSO-N6 |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 4.5A |
Минимальная напряжённость разрушения | - | - | 20V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN | Для сравнения |
| DMN2050LFDB-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN | Для сравнения |
| DMN2050LFDB-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN | Для сравнения |
 | NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | Для сравнения |