DMS2120LFWB-7 Альтернативные части: DMN2050LFDB-7

DMS2120LFWB-7Diodes Incorporated

В наличии: 5984

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.932486 ₽
8.93 ₽
500
6.568008 ₽
3,284.07 ₽
1000
5.473379 ₽
5,473.35 ₽
2000
5.021374 ₽
10,042.72 ₽
5000
4.692871 ₽
23,464.29 ₽
10000
4.365495 ₽
43,654.95 ₽
15000
4.221964 ₽
63,329.40 ₽
50000
4.151346 ₽
207,567.31 ₽

Цена за единицу: 8.932486 ₽

Итоговая цена: 8.93 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMS2120LFWB-7	иDMN2050LFDB-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN	MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Срок поставки от производителя	6 Weeks	20 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-VDFN Exposed Pad	6-UDFN Exposed Pad
Количество контактов	8	-
Вес	37.393021mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	2.9A Ta	-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	1.8V 4.5V	-
Количество элементов	1	2
Максимальная мощность рассеяния	1.5W Ta	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2013
Код JESD-609	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Discontinued	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	DUAL	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	30
Число контактов	8	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество	1	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN
Тип ТРВ	P-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	95m Ω @ 2.8A, 4.5V	45m Ω @ 5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	632pF @ 10V	389pF @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)	20V	20V
Угол настройки (макс.)	±12V	-
Непрерывный ток стока (ID)	2.9A	3.3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V
Сопротивление открытого канала-макс	0.095Ohm	0.045Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку	-20V	-
Характеристика ТРП	Schottky Diode (Isolated)	Logic Level Gate
Высота	780μm	-
Длина	3mm	-
Ширина	2mm	-
REACH SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-
Время отключения	-	25 ns
Максимальная потеря мощности	-	730mW
Нормативная Марка	-	AEC-Q101
Код JESD-30	-	S-PDSO-N6
Время задержки включения	-	5 ns
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	-	12nC @ 10V
Время подъема	-	8ns
Время падения (тип)	-	8 ns
Максимальный сливовой ток (ID)	-	4.5A
Минимальная напряжённость разрушения	-	20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMP2160UFDB-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-UDFN Exposed Pad	MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN	Для сравнения
DMN2050LFDB-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-UDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN	Для сравнения
DMN2050LFDB-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-UDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN	Для сравнения
NTLTD7900ZR2G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-VDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO	Для сравнения