Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMP3056LSS-13 Альтернативные части: DMN3033LSD-13
DMP3056LSS-13Diodes Incorporated
В наличии: 10680
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
11.994231 ₽
11.95 ₽
10
11.315316 ₽
113.19 ₽
100
10.674821 ₽
1,067.45 ₽
500
10.070591 ₽
5,035.30 ₽
1000
9.500549 ₽
9,500.55 ₽
Цена за единицу: 11.994231 ₽
Итоговая цена: 11.95 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOP-8 | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 15 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 850.995985mg | 850.995985mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 7.1A Ta | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - |
Количество элементов | 1 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | - |
Время отключения | 26.5 ns | 63 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 45mOhm | 22mOhm |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Число контактов | 8 | 8 |
Каналов количество | 1 | - |
Конфигурация элемента | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2W |
Время задержки включения | 6.4 ns | 11 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 45m Ω @ 6A, 10V | 20m Ω @ 6.9A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250μA | 2.1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 722pF @ 25V | 725pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 6.8nC @ 4.5V | 13nC @ 10V |
Время подъема | 5.3ns | 7ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - |
Время падения (тип) | 14.7 ns | 30 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7.1A | 6.9A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | 30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 20A | 30A |
Высота | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | 5.3mm | 5.3mm |
Ширина | 4.1mm | 4.1mm |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Максимальная потеря мощности | - | 2W |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMN4800LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | Для сравнения |
| DMC3018LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC | Для сравнения |