DMP3056LSS-13 Альтернативные части: DMC3018LSD-13

DMP3056LSS-13Diodes Incorporated

  • DMP3056LSS-13Diodes Incorporated
  • DMC3018LSD-13Diodes Incorporated

В наличии: 10680

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.994231 ₽

    11.95 ₽

  • 10

    11.315316 ₽

    113.19 ₽

  • 100

    10.674821 ₽

    1,067.45 ₽

  • 500

    10.070591 ₽

    5,035.30 ₽

  • 1000

    9.500549 ₽

    9,500.55 ₽

Цена за единицу: 11.994231 ₽

Итоговая цена: 11.95 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOP-8
MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
Срок поставки от производителя
15 Weeks
21 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
Вес
850.995985mg
850.995985mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
7.1A Ta
9.1A 6A
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V 10V
-
Количество элементов
1
2
Максимальная мощность рассеяния
2.5W Ta
-
Время отключения
26.5 ns
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2011
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
Сопротивление
45mOhm
-
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
HIGH RELIABILITY
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Число контактов
8
8
Каналов количество
1
-
Конфигурация элемента
Single
-
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
Распад мощности
2.5W
2.5W
Время задержки включения
6.4 ns
-
Тип ТРВ
P-Channel
N and P-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
45m Ω @ 6A, 10V
20m Ω @ 6.9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250μA
2.1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
722pF @ 25V
631pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
6.8nC @ 4.5V
12.4nC @ 10V
Время подъема
5.3ns
-
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
30V
Угол настройки (макс.)
±20V
-
Время падения (тип)
14.7 ns
-
Непрерывный ток стока (ID)
7.1A
6A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
Напряжение пробоя стока к истоку
-30V
-
Максимальный импульсный ток вывода
20A
-
Высота
1.5mm
1.5mm
Длина
5.3mm
5.3mm
Ширина
4.1mm
4.1mm
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Максимальная потеря мощности
-
2.5W
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)
-
9.1A
Минимальная напряжённость разрушения
-
30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
-
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП
-
Logic Level Gate
REACH SVHC
-
No SVHC