Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMP3056LSD-13 Альтернативные части: DMN3052LSS-13 ,DMN3033LSD-13
DMP3056LSD-13Diodes Incorporated
В наличии: 2223
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
11.355082 ₽
11.40 ₽
10
10.712335 ₽
107.14 ₽
100
10.105989 ₽
1,010.58 ₽
500
9.533942 ₽
4,767.03 ₽
1000
8.994286 ₽
8,994.23 ₽
Цена за единицу: 11.355082 ₽
Итоговая цена: 11.40 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | - | 15 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | 850.995985mg | 850.995985mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 1 | 2 |
Время отключения | 26.5 ns | - | 63 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2012 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 2.5W | - | 2W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Основной номер части | DMP3056LSD | - | - |
Число контактов | 8 | 8 | 8 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2W |
Время задержки включения | 6.4 ns | - | 11 ns |
Тип ТРВ | 2 P-Channel (Dual) | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 45m Ω @ 6A, 10V | 30m Ω @ 7.1A, 10V | 20m Ω @ 6.9A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250μA | 1.2V @ 250μA | 2.1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 722pF @ 25V | 555pF @ 5V | 725pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 13.7nC @ 10V | - | 13nC @ 10V |
Время подъема | 5.3ns | - | 7ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | 30V |
Время падения (тип) | 14.7 ns | - | 30 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 6.9A | 7.1A | 6.9A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 12V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.045Ohm | 0.03Ohm | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 30V | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | 5.3mm | 4.95mm | 5.3mm |
Ширина | 4.1mm | 3.9mm | 4.1mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 7.1A Ta | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 2.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 2.5W Ta | - |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Каналов количество | - | 1 | - |
Конфигурация элемента | - | Single | - |
Угол настройки (макс.) | - | ±12V | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | 30V |
Сопротивление | - | - | 22mOhm |
Максимальный импульсный ток вывода | - | - | 30A |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3052LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMC3018LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC | Для сравнения |