DMP3056LSD-13 Альтернативные части: DMN3033LSD-13

DMP3056LSD-13Diodes Incorporated

В наличии: 2223

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
11.355082 ₽
11.40 ₽
10
10.712335 ₽
107.14 ₽
100
10.105989 ₽
1,010.58 ₽
500
9.533942 ₽
4,767.03 ₽
1000
8.994286 ₽
8,994.23 ₽

Цена за единицу: 11.355082 ₽

Итоговая цена: 11.40 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMP3056LSD-13	иDMN3033LSD-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	16 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	73.992255mg	850.995985mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Количество элементов	2	2
Время отключения	26.5 ns	63 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2011
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	2.5W	2W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	DMP3056LSD	-
Число контактов	8	8
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2W
Время задержки включения	6.4 ns	11 ns
Тип ТРВ	2 P-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	45m Ω @ 6A, 10V	20m Ω @ 6.9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250μA	2.1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	722pF @ 25V	725pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	13.7nC @ 10V	13nC @ 10V
Время подъема	5.3ns	7ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	30V
Время падения (тип)	14.7 ns	30 ns
Непрерывный ток стока (ID)	6.9A	6.9A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Сопротивление открытого канала-макс	0.045Ohm	-
Минимальная напряжённость разрушения	30V	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	5.3mm	5.3mm
Ширина	4.1mm	4.1mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Сопротивление	-	22mOhm
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V
Максимальный импульсный ток вывода	-	30A

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN3052LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC	Для сравнения
DMN3033LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC	Для сравнения
DMC3018LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC	Для сравнения