DMP2018LFK-7 Альтернативные части: DMN2015UFDE-7 ,DMN2014LHAB-7

DMP2018LFK-7Diodes Incorporated

В наличии: 20796

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
67.161538 ₽
67.17 ₽
10
63.359904 ₽
633.65 ₽
100
59.773571 ₽
5,977.34 ₽
500
56.390069 ₽
28,195.05 ₽
1000
53.198269 ₽
53,198.21 ₽

Цена за единицу: 67.161538 ₽

Итоговая цена: 67.17 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMP2018LFK-7	иDMN2015UFDE-7	иDMN2014LHAB-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN	MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Срок поставки от производителя	14 Weeks	6 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-PowerUDFN	6-PowerUDFN	6-UFDFN Exposed Pad
Количество контактов	6	6	7
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	9.2A Ta	10.5A Ta	9A
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	1.5V 4.5V	1.5V 4.5V	-
Количество элементов	1	1	-
Максимальная мощность рассеяния	1W Ta	660mW Ta	-
Время отключения	240.8 ns	43.6 ns	40.9 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2013	2015
Код JESD-609	e4	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	yes	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	4	3	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	-
Положение терминала	DUAL	DUAL	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	30
Число контактов	6	-	-
Код JESD-30	R-PDSO-N4	R-PDSO-N3	-
Каналов количество	1	1	-
Конфигурация элемента	Single	-	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN	-
Время задержки включения	22.8 ns	7.4 ns	6.9 ns
Тип ТРВ	P-Channel	N-Channel	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	16m Ω @ 3.6A, 4.5V	11.6m Ω @ 8.5A, 4.5V	13m Ω @ 4A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 200μA	1.1V @ 250μA	1.1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	4748pF @ 10V	1779pF @ 10V	1550pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	113nC @ 10V	45.6nC @ 10V	16nC @ 4.5V
Время подъема	29.8ns	16.8ns	15.5ns
Угол настройки (макс.)	±12V	±12V	-
Время падения (тип)	100.6 ns	10.9 ns	12 ns
Непрерывный ток стока (ID)	9.2A	10.5A	9.3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	20V	20V	-
Максимальный импульсный ток вывода	90A	-	-
Высота	580μm	580μm	600μm
Длина	2.55mm	2.05mm	3.05mm
Ширина	2.35mm	2.05mm	2.05mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Максимальный сливовой ток (ID)	-	9.4A	-
Максимальная потеря мощности	-	-	800mW
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	-	20V
Характеристика ТРП	-	-	Logic Level Gate

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN2014LHAB-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-UFDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN	Для сравнения
DMN2016LHAB-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-UDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN	Для сравнения
NTLTD7900ZR2G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-VDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO	Для сравнения
DMN2015UFDE-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-PowerUDFN	MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN	Для сравнения