DMP2018LFK-7 Альтернативные части: DMN2015UFDE-7

DMP2018LFK-7Diodes Incorporated

В наличии: 20796

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
67.161538 ₽
67.17 ₽
10
63.359904 ₽
633.65 ₽
100
59.773571 ₽
5,977.34 ₽
500
56.390069 ₽
28,195.05 ₽
1000
53.198269 ₽
53,198.21 ₽

Цена за единицу: 67.161538 ₽

Итоговая цена: 67.17 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMP2018LFK-7	иDMN2015UFDE-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN	MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
Срок поставки от производителя	14 Weeks	6 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-PowerUDFN	6-PowerUDFN
Количество контактов	6	6
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	9.2A Ta	10.5A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	1.5V 4.5V	1.5V 4.5V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	1W Ta	660mW Ta
Время отключения	240.8 ns	43.6 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2013
Код JESD-609	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	4	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	DUAL	DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	6	-
Код JESD-30	R-PDSO-N4	R-PDSO-N3
Каналов количество	1	1
Конфигурация элемента	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN
Время задержки включения	22.8 ns	7.4 ns
Тип ТРВ	P-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	16m Ω @ 3.6A, 4.5V	11.6m Ω @ 8.5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 200μA	1.1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	4748pF @ 10V	1779pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	113nC @ 10V	45.6nC @ 10V
Время подъема	29.8ns	16.8ns
Угол настройки (макс.)	±12V	±12V
Время падения (тип)	100.6 ns	10.9 ns
Непрерывный ток стока (ID)	9.2A	10.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	20V	20V
Максимальный импульсный ток вывода	90A	-
Высота	580μm	580μm
Длина	2.55mm	2.05mm
Ширина	2.35mm	2.05mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Максимальный сливовой ток (ID)	-	9.4A

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN2014LHAB-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-UFDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN	Для сравнения
DMN2016LHAB-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-UDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN	Для сравнения
NTLTD7900ZR2G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-VDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO	Для сравнения
DMN2015UFDE-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-PowerUDFN	MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN	Для сравнения