DMNH4011SPSQ-13 Альтернативные части: DMTH4007LK3-13 ,DMNH4006SPSQ-13

DMNH4011SPSQ-13Diodes Incorporated

В наличии: 4975

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
93.066703 ₽
93.13 ₽
10
87.798750 ₽
878.02 ₽
100
82.829080 ₽
8,282.97 ₽
500
78.140632 ₽
39,070.33 ₽
1000
73.717555 ₽
73,717.58 ₽

Цена за единицу: 93.066703 ₽

Итоговая цена: 93.13 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMNH4011SPSQ-13	иDMTH4007LK3-13	иDMNH4006SPSQ-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI	MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252	MOSFET NCH 40V 110A POWERDI
Срок поставки от производителя	22 Weeks	23 Weeks	17 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	8-PowerTDFN
Количество контактов	8	-	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	12.9A Ta 100A Tc	16.8A Ta 70A Tc	110A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	10V	4.5V 10V	10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta 150W Tc	2.6W Ta	1.6W Ta
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	Automotive, AEC-Q101	-	Automotive, AEC-Q101
Опубликовано	2016	2015	2016
Код JESD-609	e3	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	2	5
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	DUAL	SINGLE	DUAL
Форма вывода	FLAT	GULL WING	FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH	not_compliant	not_compliant	not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Код JESD-30	R-PDSO-F5	R-PSSO-G2	R-PDSO-F5
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN	DRAIN
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	10m Ω @ 50A, 10V	7.3m Ω @ 20A, 10V	7m Ω @ 50A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	4V @ 250μA	3V @ 250μA	4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1405pF @ 20V	1895pF @ 30V	2280pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	25.5nC @ 10V	29.1nC @ 10V	-
Напряжение стока-исток (Vdss)	40V	40V	40V
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	20V
Непрерывный ток стока (ID)	100A	70A	110A
Максимальный сливовой ток (ID)	12.9A	16.8A	-
Сопротивление открытого канала-макс	0.01Ohm	0.0098Ohm	0.007Ohm
Максимальный импульсный ток вывода	90A	80A	-
Минимальная напряжённость разрушения	40V	40V	40V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	176 mJ	20 mJ	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Нормативная Марка	-	AEC-Q101	-

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDD8876	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R	Для сравнения
DMTH4007LK3-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252	Для сравнения
DMNH4006SPSQ-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET NCH 40V 110A POWERDI	Для сравнения
FDD8445	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R	Для сравнения