Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMNH4011SPSQ-13 Альтернативные части: DMTH4007LK3-13
DMNH4011SPSQ-13Diodes Incorporated
В наличии: 4975
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
93.066703 ₽
93.13 ₽
10
87.798750 ₽
878.02 ₽
100
82.829080 ₽
8,282.97 ₽
500
78.140632 ₽
39,070.33 ₽
1000
73.717555 ₽
73,717.58 ₽
Цена за единицу: 93.066703 ₽
Итоговая цена: 93.13 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 |
Срок поставки от производителя | 22 Weeks | 23 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 8 | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 12.9A Ta 100A Tc | 16.8A Ta 70A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta 150W Tc | 2.6W Ta |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | - |
Опубликовано | 2016 | 2015 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | DUAL | SINGLE |
Форма вывода | FLAT | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Код соответствия REACH | not_compliant | not_compliant |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Код JESD-30 | R-PDSO-F5 | R-PSSO-G2 |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 10m Ω @ 50A, 10V | 7.3m Ω @ 20A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1405pF @ 20V | 1895pF @ 30V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 25.5nC @ 10V | 29.1nC @ 10V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | 40V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 100A | 70A |
Максимальный сливовой ток (ID) | 12.9A | 16.8A |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.01Ohm | 0.0098Ohm |
Максимальный импульсный ток вывода | 90A | 80A |
Минимальная напряжённость разрушения | 40V | 40V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 176 mJ | 20 mJ |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Нормативная Марка | - | AEC-Q101 |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDD8876 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | Для сравнения |
 | DMTH4007LK3-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 | Для сравнения |
 | DMNH4006SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET NCH 40V 110A POWERDI | Для сравнения |
| FDD8445 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Для сравнения |